尔必达开发出25纳米工艺内存芯片

新浪科技讯 北京时间5月3日下午消息，尔必达周二宣布，他们已经开发出了基于25纳米制程工艺的2Gb DDR3内存芯片。
尔必达最新内存芯片可支持1866Mbps数据传输速率，并兼容低压1.35伏1600Mbps数据传输。和尔必达30纳米工艺相比，新工艺芯片每比特所需要的存储单元空间降低30%，每片晶圆上的芯片产能提升30%。
尔必达将在今年7月份进行芯片样品出货和量产，并计划在今年年底前量产25纳米工艺4Gb DDR3颗粒。(晓明)